SK하이닉스가 초고속 모바일용 D램 'LPDDR5T'(Low Power Double Data Rate 5 Turbo) 개발에 성공했다.

SK하이닉스는 초고속 모바일용 D램 'LPDDR5T'를 개발했으며, 샘플을 제작해 고객사들에 제공했다고 25일 밝혔다. LPDDR5T는 지난해 11월 공개된 모바일 D램 LPDDR5X 성능을 업그레이드한 제품이다. 신제품 동작속도는 전작 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 9.6Gbps(초당 9.6 기가비트)다.

SK하이닉스 측에 따르면 현존하는 모바일용 D램 중 최고 속도다. 최고 속도 구현을 부각하기 위해 규격명을 전작(LPDDR5)에 '터보'(Turbo)를 붙여 명명했다.

이번 신제품은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압(1.01~1.12V)에서 작동한다. 속도는 물론, 초저전력 특성도 동시에 구현해 낸 것이 특징이다.

SK하이닉스는 "당사는 초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "앞으로 이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 견고히 할 것"이라고 설명했다.

개발된 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량 패키지 샘플을 제작했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다. 패키지 제품은 SK하이닉스 고객사들에 제공됐다.

올 하반기부터 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 제품 양산에 들어갈 계획이다. 이번 제품 역시 'HKMG'(High-K Metal Gate) 공정을 적용한다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량(Capacitance)을 개선한 차세대 공정이다. 빠른 속도를 유지하면서 소모 전력은 줄일 수 있다.

SK하이닉스 관계자는 "HKMG 공정 기술력을 통해 신제품이 최고 성능을 갖추게 됐다"며 "다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지는 기술력 격차를 획기적으로 벌린 LPDDR5T가 시장을 주도해 갈 것"이라고 자신했다.

IT 업계는 앞으로 5G 스마트폰 시장이 확대되면 속도, 용량, 저전력 등 모든 스펙이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고 있다. 이런 흐름에서 LPDDR5T 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝(Machine Learning), 증강·가상현실(AR·VR)까지 확대될 것으로 기대된다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 "신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객들의 니즈(Needs)를 충족시키게 됐다"며 "차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것"이라고 말했다.