삼성전자가 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산에 돌입한다고 7일 밝혔다. 

'1Tb TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드'는 업계 최고 수준의 비트 밀도(Bit Density)의 고용량제품이다. 웨이퍼당 비트 집적도가 이전 세대 보다 대폭 향상됐다. 

최신 낸드플래시 인터페이스 'Toggle DDR 5.0'이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 이는 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 향상된 것이다. PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며, 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.

삼성전자는 이번 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도한다는 계획이다. 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나간다는 복안이다. 

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아지는 추세"라며 "3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시켰고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"고 설명했다. 

앞서 삼성전자는 올해 8월 '플래시 메모리 서밋'과 10월 '삼성 테크 데이'에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다.