삼성전자가 '24Gbps GDDR6(Graphics Double Data Rate) D램'을 개발했다고 14일 밝혔다. 삼성전자 관계자에 따르면, 해당 D램은 1초당 24Gb 데이터를 전송할 수 있으며 이는 업계 최고 속도다.

'24Gbps GDDR6 D램'은 EUV(극자외선) 노광 장비를 활용한 3세대 10나노급(1z) 공정 기반 16Gb 제품이다. EUV는 극자외선 광원을 사용해 나노(10억분의 1m) 수준의 초미세 회로를 새기는 장비로 대당 가격이 한화 1500억원에 달하지만, 수요가 몰리면서 공급 지연이 계속되고 있다.

이재용 삼성전자 부회장은 지난달 네덜란드 ASML 본사를 방문, 이 회사 경영진과 EUV 장비 공급 확대 등 핵심 의제를 논의했다. ASML은 EUV를 제조하는 세계 유일 기업이다. EUV는 파장이 짧은 극자외선을 광원으로 이용, 기존 불화아르곤 계열 노광장비 대비 매우 정교한 회로를 그릴 수 있다. 10나노 이하 메모리반도체, 5나노 이하 시스템반도체 성능의 안정적 유지와 수율 확보를 위해선 EUV 장비의 안정적 공급이 반드시 필요하다. 

'24Gbps GDDR6 D램'에는 하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate, HKMG) 기술도 적용됐다. 하이케이 메탈 게이트는 누설 전류 최소화를 위해 금속 소재 신물질을 게이트단에 적용하는 기술이다. 이를 통해 동작 속도가 기존 18Gbps GDDR6 D램 대비 약 30% 이상 향상됐다.

이번에 개발된 D램은 국제 반도체 표준화 기구 JEDEC 표준규격에 맞춰 개발됐다. AI, 그래픽 가속기 업체들이 쉽게 채택할 수 있도록 호환성도 확보했다. 프리미엄급 그래픽 카드에 탑재될 경우 최대 초당 1.1TB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 275편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.

삼성전자는 저전력 동적 전압 기술(DVS)을 적용, 고객의 다양한 요구에 맞춰 20% 이상 향상된 전력 효율을 제공하는 솔루션도 마련했다. DVS는 D램 동작 전압을 동적으로 변경해 성능과 전력 소모를 조절하는 기술이다. 동작 전압을 기존 1.35V 보다 낮은 1.1V까지 지원해 노트북 사용자들의 배터리 사용시간이 크게 늘어날 것으로 기대된다.

'24Gbps GDDR6 D램'은 PC, 노트북, 게임 콘솔 등 우수한 그래픽 성능이 요구되는 분야에서 차별화된 사용자 경험을 제공할 전망이다. 향후에는 차세대 고성능 컴퓨팅(HPC), 전기차, 자율주행차 등 다양한 분야에서도 폭넓게 활용될 것으로 예상된다.

삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 이동기 부사장은 "24Gbps GDDR6 D램은 이달 주요 고객사의 차세대 시스템에 탑재돼 검증이 시작될 예정"이라며 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 제품을 적기에 상용화하고 이를 통해 차세대 그래픽 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다.