SK하이닉스가 10나노급 4세대(1a) 미세공정을 적용한 8Gbit LPDDR4 모바일 D램 양산을 이달 초 시작했다고 12일 밝혔다.

반도체 업계는 10나노대 D램부터 세대별로 알파벳 기호를 붙여 호칭하고 있다. 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대)에 이어 1a는 4세대 기술이다. 1a 기술이 적용된 모바일 D램 신제품은 하반기부터 스마트폰 제조사들에 공급될 예정이다.

1a는 SK하이닉스 D램 중 처음으로 EUV 공정 기술을 통해 양산된다는데 의미가 있다. EUV 공정기술 안정성을 확보한 만큼 향후 1a D램 모든 제품에 기술을 활용해 생산한다는 계획이다.

앞서 SK하이닉스는 1y(2세대) 제품 생산 과정에서 EUV를 일부 도입해 안정성을 확인한 바 있다. 공정을 극도로 미세화하면서 반도체 기업들은 웨이퍼에 회로 패턴을 그리는 포토 공정에 EUV 장비를 잇따라 도입 중이다. 업계에서는 EUV 활용 수준이 기술 리더십 우위를 결정짓는 중요한 요소가 될 것으로 예측하고 있다. 

신제품 생산성 향상으로 원가 경쟁력을 높이는 효과 역시 기대된다. 1a D램은 이전 세대 같은 규격 제품보다 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 수량이 약 25% 늘어났다. 올해 글로벌 D램 수요가 늘어나며 메모리 반도체 수급에 1a D램이 일익을 담당할 것으로 보인다. 

이번 신제품은 LPDDR4 모바일 D램 규격 최고 속도(4266Mbps)를 안정적으로 구현하면서도 기존 제품 대비 전력 소비를 약 20% 줄였다. 저전력 강점을 보강함으로써 탄소 배출을 줄일 수 있어 SK하이닉스는 이 제품이 ESG 경영 관점에서도 의미를 부여하고 있다. 

LPDDR4에 이어 지난해 10월 세계 최초로 출시한 차세대 D램 DDR5에는 내년 초부터 1a 기술을 적용한다.

조영만 SK하이닉스 1a D램 TF장 부사장은 "1a D램은 생산성과 원가경쟁력이 개선돼 높은 수익성을 기대할 수 있는 제품"이라며 "EUV를 양산에 본격 적용함으로써 최첨단 기술을 선도하는 기업으로서 위상을 공고히 할 수 있을 것"이라고 말했다.