이재용 삼성전자 부회장이 새해 첫 일정으로 차세대 반도체 개발 현장을 방문했다. 글로벌 파운드리 업계에서 치열한 극미세공정 개발 경쟁이 벌어지고 있는 가운데, 삼성전자는 '3나노 반도체' 기술을 앞세워 '초격차' 전략을 더욱 강화할 방침이다.

2일 삼성전자에 따르면, 이재용 부회장은 이날 경기 화성사업장 안에 있는 반도체연구소를 찾아 '3나노 공정기술'을 직접 살핀 뒤, DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다. 이 부회장이 관심을 갖고 지켜 본 '3나노 공정기술'은 삼성전자가 세계 최초로 개발했다. 

이 부회장은 "과거 실적이 미래 성공을 보장해주지 않는다"며 "역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 당부했다.  

이어 그는 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 강조했다. 

이 부회장이 새해 첫 경영 행보를 반도체 개발 현장에서 시작한 것은 '시스템 반도체 분야 세계 1위' 목표를 반드시 실현하겠다는 의지를 국내외에 표현한 것으로 풀이할 수 있다.  

삼성전자가 개발에 성공한 '3나노 반도체'는 미세공정의 한계를 극복한 차세대 기술 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용했다. '3나노 공정'서 생산되는 반도체는 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 줄일 수 있다. 면적이 줄어드는 만큼 저전력 구동이 가능하다. 업계의 전망을 종합하면 소비전력은 5나노에 비해 50% 가량 감소한다. 반면 성능(처리속도)은 약 30% 개선된다.