삼성전자가 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(내장형 MRAM)' 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다. 

FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정이다. MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지)이면서도 DRAM 수준으로 속도가 빠른 메모리 반도체다. 이 두 기술을 합치면 전력을 적게 소모하면서도 속도가 매우 빠르고, 소형화 및 가격 경쟁력을 갖춘 차세대 내장 메모리 생산이 가능하다. 

삼성전자 파운드리 사업부는 SoC(System on Chip)에 이 제품을 결합해 파운드리 분야 기술 리더십을 강화했다.

내장형(embedded) 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 Flash를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다.

그러나 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제하는 과정을 거치기 때문에 속도와 전력효율 측면에서 단점이 있었다.

이번 '28나노 FD-SOI eMRAM' 솔루션의 경우, 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고, 기존 eFlash보다 약 1천 배 빠른 쓰기 속도를 구현한다는 것이 삼성전자의 설명이다. 

또한 비휘발성 특성도 지녀 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않고, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다는 것도 장점이다. 

eMRAM 솔루션은 단순한 구조를 가지고 있어 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능하다. 따라서 설계 부담이 줄어들고 생산비용도 크게 낮출 수 있을 것으로 보인다. 

삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 이상현 상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다" 며 "이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용해 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공할 것" 이라고 밝혔다.

삼성전자는 올해 안에 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대할 계획이다.